Samsung a annoncé le premier SSD automobile PCIe 4.0 du secteur, basé sur un flash V-NAND de huitième génération. Il est surnommé AM9C1 et remplace l’AM991 qui l’a précédé.
Les principales améliorations de cette génération sont une efficacité énergétique nettement améliorée – d’environ 50 % – et des vitesses de transfert de données plus élevées. Dans une configuration de 256 Go, le nouveau SSD peut offrir des vitesses de lecture séquentielle allant jusqu'à 4 400 Mo/s et des écritures séquentielles de 400 Mo/s.
Cela semble lent, mais gardez à l’esprit que ce SSD, comme les autres appareils électroniques automobiles, est optimisé pour l’endurance. Celui-ci utilise le flash TLC (cellules à trois niveaux), mais fournit une fonctionnalité d'espace de noms SLC (à un seul niveau), qui augmente les vitesses séquentielles à 4 700 Mo/s en lecture et 1 400 Mo/s en écriture, tout en augmentant également la fiabilité.
Cela se fait cependant au prix d’une capacité réduite. L'AM9C1 est actuellement testé par des partenaires clés dans une capacité de 256 Go, mais Samsung proposera le SSD dans des capacités allant de 128 Go à 2 To. La production en série de la version 2 To est prévue pour le début de l'année prochaine et ce sera le plus grand SSD automobile du marché.
Comme souligné précédemment, la fiabilité est cruciale : selon la norme AEC‑Q100 Grade2, ce SSD maintient des performances fiables sur une large plage de températures allant de –40 °C à 105 °C (–40 °F à 221 °F).
Hyunduk Cho, vice-président et responsable du groupe automobile chez Samsung Electronics' Memory Business, a déclaré : "Nous collaborons avec des constructeurs mondiaux de véhicules autonomes et fournissons des produits automobiles de haute performance et de grande capacité. Samsung continuera à dominer le marché de la mémoire physique pour l'IA qui englobe des applications allant de la conduite autonome aux technologies robotiques. "
Samsung a commencé à produire de la mémoire automobile UFS3.1 l’année dernière. En mars, il a obtenu une authentification ASPICECL3 pour cette mémoire.
